Na produção de chips eletrônicos, a litografia é, sem dúvida, a etapa mais custosa. A qualidade das conexões está intrinsecamente ligada à boa qualidade da litografia, que se viu forçada a adaptar-se à escala micrométrica - e mesmo à nanométrica -, em virtude da miniaturização dos componentes. Com efeito, a precisão das trilhas da litografia deve atingir, em futuro próximo, +- 60 nanometros. As tecnologias a ultravioleta - em função de seu comprimento de onda -, atingem, pois, seu limite.

Oferecendo uma precisão que pode alcançar até 10 nm, dispondo de um bom rendimento de produção relativamente às tecnologias concorrentes, a tecnologia de litografia por projeção iônica, da empresa austríaca IMS (Ionen Mikrofabrikations Systeme GmbH), constitui uma boa alternativa.

Uma ótima definição em profundidade, permitindo a estruturação de superfícies curvas, aliada à possibilidade de fazer impressões diretamente nas superfícies "sem contato" estão entre as principais qualidades dessa técnica.

O princípio da litografia por projeção iônica consiste de um feixe de íons hélio, oriundos da ionização do gás. Tal feixe é dirigido e modificado por um sistema de lentes eletrostáticas, o qual permite projetar sobre a placa de silício um feixe quatro vezes mais fino que a fonte. Essa técnica utiliza íons de átomos leves (hidrogênio, hélio), podendo também funcionar com elementos como o argônio ou o xenônio.

Elektronik Report, junho, 2002. (Tradução/texto - MIA)

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