A fim de conferir aos semicondutores suas propriedades eletrônicas, estes são dopados, introduzindo-se em sua estrutura cristalina átomos de elementos possuindo um elétron de valência a mais, ou a menos, que o elemento do qual é constituída sua matriz.

O tamanho atual das zonas dopadas dos microprocessadores é tal, que os átomos dopantes não precisam ser implantados de modo perfeitamente regular no cristal: nessa escala, a zona em seu conjunto possui propriedades eletrônicas uniformes.

Quando o tamanho dessas zonas dopadas se reduz, no decorrer da evolução das técnicas de gravura, para atingir a escala nanométrica, coloca-se o problema do controle da uniformidade da implantação dos átomos dopantes.

Uma equipe de pesquisadores da Universidade de Waseda (Japão) desenvolveu uma técnica batizada como "Single Ion Implantation" (SII), que permite implantar íons, um por um, em um semicondutor, com uma precisão da ordem do nanômetro.

Um teste permitiu confirmar que um semicondutor dopado com essa técnica, colocando-se um átomo a cada 60 nm, apresentava propriedades eletrônicas de grande uniformidade.

Trata-se, contudo, de uma técnica relativamente lenta, daí serem necessários dias para se dopar um microprocessador inteiro.

Nature, October 20, 2005 (Tradução - MIA).

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