O Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), o coração da P&D da Coreia, teria desenvolvido um novo transistor à base de Grafeno. Há alguns meses, este Boletim já comentava que o novo material poderia, um dia, permitir a produção de novos transistores, mais performantes que aqueles à base de silício.

Os pesquisadores nas fábricas têm dois eixos de pesquisa para melhorar continuamente o desempenho dos transistores, que constituem em parte os processadores de nossos computadores. O primeiro eixo consiste na redução do tamanho desses transistores, para diminuir a distância que devem percorrer os elétrons entre a fonte e o dreno de um transistor. O segundo eixo é simplesmente a aceleração da velocidade de deslocamento dos elétrons. Para conseguir este último, é preciso encontrar um novo material que substitua o Silício e que permita uma mobilidade dos elétrons superiores a este último. Os pesquisadores estão principalmente mais concentrados na redução do tamanho, mesmo que outros tenham igualmente começado a pesquisa rumo a novos materiais, com a descoberta do Grafeno em 2004.

Estrutura do Grafeno.

Créditos: PC World.

Embora esta descoberta tenha apresentado excelentes resultados, com cerca de 200 vezes a taxa de mobilidade dos elétrons em relação ao Silício, a fabricação de um transistor não tinha até então sido possível. Contudo, esta possibilidade é primordial para gerar os bits necessários ao funcionamento de nossos computadores, os famosos "0" e "1".

Pesquisas precedentes tinham permitido modificar o Grafeno, para torná-lo semicondutor, mas a mobilidade dos elétrons era então bem menor que no início e, portanto, não mais constituía um interesse para a fabricação dos transistores.

Do grafite (base do grafeno) para uma bolacha Samsung de transistor à base de grafeno.

Créditos: PC World.

O Instituto de Pesquisa da Samsung acaba de publicar novos resultados de pesquisa e anuncia que seus pesquisadores desenvolveram um semicondutor à base de Grafeno, sem que haja redução da eficiência. Batizado Barristor, a Samsung fez a demonstração do mesmo, apresentando um transistor fabricado à base de Grafeno, com uma porta de Schottky, mixando Silício e Grafeno, que permite controlar a fraquíssima tensão na passagem dos elétrons entre o coletor e o emissor. Os pesquisadores da SAIT exploraram igualmente sua nova técnica, fabricando alguns circuitos lógicos para realizar operações básicas como edições, por exemplo.

Uma nova avenida está agora aberta e os pesquisadores do mundo inteiro podem "entrar nesta brecha" para produzir novos transistores, ainda mais performantes, no futuro. Para quando? Não veremos produtos comercializados com este tipo de transistores, antes de uma década, infelizmente...

PC World (Tradução - MIA).

Assuntos Conexos:

Novas possibilidades para o grafeno.

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