Estes pesquisadores construíram um novo tipo de memristor, que repousa sobre uma propriedade quântica da matéria, o efeito túnel, que permite aos elétrons "saltar" através de uma finíssima camada de material ferroelétrico, polarizado eletricamente, como um ímã. Graças a este dispositivo, a corrente elétrica alcança um fator de 300, em função da orientação da polarização. Além disso, a polarização pode ser invertida, sob o efeito de um campo elétrico exterior. Modulando este campo elétrico, é possível fazer variar a resistência elétrica.

Este novo tipo de memristor pode ser utilizado como memória numérica ou analógica. Ainda por cima, ele é particularmente simples e consome dez vezes menos que as memórias flash, para um tempo de escrita de uma dezena de nanossegundos. Finalmente, outra vantagem: esta memória é regravável mais de 1000 vezes, contra uma centena para as memórias flash.

Mais econômico, mais rápido, mais robusto? Este memristor poderia muito bem ser um elemento essencial para a construção de neurônios artificiais.

RTFlash (Tradução - MIA).

Nota do Scientific Editor - O trabalho "A ferroelectric memristor", que deu origem a esta notícia, é de autoria André Chanthbouala, Vincent Garcia, Ryan O. Cherifi, Karim, Bouzehouane, Stéphane Fusil, Xavier Moya, Stéphane Xavier, Hiroyuki Yamada, Cyrile Deranlot, Neil D. Mathur, Manuel Bibes, Agnès Barthélémy e Julie Grollier, tendo sido publicado na revista Nature Materials, Volume 11, págs. 860-864 (2012), DOI: 10.1038/nmat3415.