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Estruturas atômicas: imagiamento de alta resolução - três novas e importantes possibilidades

Recentemente, três trabalhos publicados na Revista Nature conferiram um dramático incremento ao progresso das técnicas de microscopia de alta resolução, aplicadas na ciência dos materiais, visando à elucidação de estruturas atômicas.

As superfícies sólidas não são atomicamente lisas mas, sim, constituídas de arranjos de átomos que estão em equilíbrio dinâmico. O arranjo da superfície dos sólidos está relacionado ao transporte de vacâncias, as quais se movem, para dentro e para fora dos sólidos, particularmente com passos próximos das distâncias atômicas. K. McCarty et al. (Vacancies in solids and the stability of surface morphology, Nature 412, 622, Aug. 2001 ), fazendo uso da microscopia de elétrons de baixa energia (LEEM), a 3,9 eV, examinou a dinâmica dos movimentos atômicos na superfície da liga intermetálica NiAl (110). Os pesquisadores mostraram que o "alisamento" da superfície é dominado mais pelo transporte das vacâncias do que pela difusão superficial. Este importante resultado contribui para a melhoria de nosso entendimento sobre a estabilidade das estruturas fabricadas em nanoescala.

S. Lemay et al. [Two dimensional imaging of electronic wave functions in carbon nanotubes, Nature 412, 617, Aug 2001] descreveram o uso da técnica de microscopia de tunelamento com varredura para revelar padrões espaciais da estrutura eletrônica em nanotubos de carbono metálicos com paredes simples.

Foi projetado por Tonomura et al. um microscópio de emissão de campo de 40-ton 1-MV que tem duas vezes o poder de penetração de um microscópio EM de 300 kV e o brilho mais alto alcançado por um microscópio do gênero. [Nature 412, 620 Aug 2001]. O HVEM foi usado para demonstrar vórtices magnéticos "trapeados" ao longo de defeitos colunares em filmes de Bi 2212 filmes de 400 nm de espessura. Tal trabalho permitirá avançar nossa compreensão sobre o funcionamento dos semicondutores de alta temperatura (high-T semiconductors).

Microscopy and Analysis, September, 2001. (Tradução livre - OLA)

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