Se a obtenção de um diamante dotado de alta condutividade elétrica, veiculada por elétrons, era, até o presente, algo inimaginável, o tempo verbal está correto: era, foi. E isso graças aos pesquisadores do Laboratório de Física de Sólidos e Cristalogênese, do CNRS, Universidade de Versailles, Meudon (França), que acabaram de mostrar, pela primeira vez, ser possível a obtenção, em temperatura ambiente, de um diamante de tipo n, de alta condutividade elétrica.

Quem se beneficiará muitíssimo com a nova tecnologia é a microeletrônica, uma vez que os resultados da pesquisa, publicados em julho na revista Nature Materials, terão aplicações diretas em seus domínios. Graças às suas propriedades químicas e físicas extraordinárias, o diamante constitui-se num semicondutor por excelência, para a fabricação de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos.

A operação consiste em difundir hidrogênio em um diamante contendo boro. Obtém-se, assim, uma conversão reversível, de tipo p a tipo n. A incorporação direta de fósforo, usada nos procedimentos clássicos, resulta em condutividades elétricas 10.000 vezes menores que as obtidas pelos novos procedimentos, daí a supremacia espetacular destes sobre aqueles.

O CNRS já solicitou patente para o trabalho, certo de que, futuramente (e esse futuro está próximo!), nos domínios espacial e automobilístico, bem como nas telecomunicações e distribuição de energia, os resultados obtidos abrem um vastíssimo campo de aplicações.

CNRS (http://www.cnrs.fr) - Consultado em julho, 2003. (Tradução/Texto - MIA)

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