Componentes ativos que permitem o controle do fluxo de luz e, por conseguinte, das informações transmitidas, é uma boa definição para moduladores de fibras ópticas. Geralmente são obtidos a partir de elementos com propriedades ópticas interessantes, entre eles o fosfeto de índio (InP) ou o arseneto de gálio (GaAs).

O silício, que por conta de suas fracas performances, parecia ter sido relegado pelos engenheiros, de repente entra em cena quando Ansheng Liu, dos Laboratórios Intel, na Califórnia (EUA), juntamente com seus colegas, publicou na revista Nature, no mês passado, os resultados de uma pesquisa que resgata o silício, uma vez que permite a elaboração de um modulador óptico com base nesse elemento.

Tal modulador óptico é capaz de ultrapassar a freqüência de 1 gigahertz. Trocando isso em miúdos, significa dizer que ele tem possibilidade de enviar - através de uma única fibra -, mais de um bilhão de bits por segundo.

Duas superfícies de silício, separadas uma da outra por uma camada isolante fina, são usadas na construção do modulador. Uma das superfícies é de tipo n e comporta um excesso de elétrons, portadores de carga negativa; a outra, é de tipo p, comportando um excesso de portadores de cargas positivas: os "buracos".

A aplicação de uma tensão elétrica positiva sobre essa estrutura polisilícica possibilita um acúmulo de portadores de carga ao nível da interface de separação, modificando o índice de refração do composto sob efeito da luz. É exatamente essa mudança de estado, extremamente rápida, que pode ser explorada para a fabricação de um modulador.

Embora no momento existam no mercado dispositivos bem mais rápidos, deve-se levar em consideração seu preço - são muitíssimo mais caros. Conforme os pesquisadores, se conseguirem diminuir significativamente o preço, poderão dinamizar a construção de redes ópticas de grande velocidade.

Wall Street Journal, February 12, 2004. (Tradução/Texto - MIA)

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