A fabricação de superfícies de silício, de altíssima qualidade, poderá ser conseguida graças a estudos realizados na Universidade de Queen, em Kingston (Ontário), por uma jovem doutoranda canadense, Jean MacLeod, que trabalha em colaboração com físicos brasileiros e ingleses.

A pesquisadora estudava as propriedades eletrônicas de nanolinhas, linhas de átomos, visando à utilização das mesmas para realizar conexões eletrônicas sobre superfícies à base de silício, semelhantes àquelas utilizadas na fabricação de microprocessadores.

As nanolinhas são obtidas por justaposição, a uma dada temperatura, sobre a superfície à base de silício contendo átomos de bismuto, elemento semimetálico. Tais átomos se auto-ordenam em linhas com largura de dois átomos.

Durante a pesquisa, MacLeod deu-se conta de que a aplicação dessas nanoestruturas sobre a superfície à base de silício produzia mudanças estruturais em maior escala. A superfície de silício freqüentemente ostenta dois motivos perpendiculares característicos. A criação de nanolinhas sobre a superfície leva à supressão de um desses dois motivos. O controle de estruturas macroscópicas pela utilização de elementos nanoscópicos parecia, então, ter sido adquirido.

Trata-se de uma descoberta feita pelo emprego de um método radicalmente diferente daqueles métodos de fabricação convencionais. As nanolinhas oferecem a possibilidade de controlar e mudar as propriedades de certos materiais, abrindo assim perspectivas interessantes para a indústria de semicondutores, mais especificamente, para a fabricação de microcontroladores e de microprocessadores.

Queen´s News Center, July 22, 2004. (Tradução/Texto - MIA)

Nota do Managing Editor: Colaboraram neste estudo o físico teórico brasileiro Hiroki Miwa e o britânico, G.P. Srivastava, da Universidade de Exeter (Grã-Bretanha). Os resultados completos do mesmo serão publicados no periódico Physical Review B, da American Physical Society.

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