A Samsung novamente surpreende! Acaba de divulgar a criação de uma nova (nano) tecnologia e já acena com os custos da mesma: 50% mais barata! Os concorrentes, é claro, não podem estar felizes!

Tratam-se dos primeiros chips do tipo NAND, gravados em 0,06 mícron (60 nm), e com uma capacidade de 8 Gb (1 Go). A espessura de gravação e a densidade, informa a empresa, foram obtidas graças à utilização de transistores arranjados em uma estrutura 3D e associados a uma tecnologia de isolamento dos dielétricos, permitindo minimizar as interferências entre as células.

Do tipo NAND, as células possibilitam o acesso em série, consideravelmente mais rápido – 50 nanossegundos -, quando comparado ao acesso aleatório, de tipo NOR, que leva de 80 a 120 nanossegundos. Os custos de produção 50% menores, informa a Samsung, devem-se à utilização de um procedimento litográfico à base KrF.

Trata-se, realmente, de uma memória flash e, com ela, poderão surgir cartões de memória de 16 Go (16 chips NAND), que permitirão um armazenamento superior a 16 horas de vídeo, com qualidade DVD, ou mais de 4.000 trechos de músicas no formato MP3.

As memórias flash apresentam, além de outras, vantagem adicional sobre as memórias DRAM: funcionam sem alimentação e podem ser usadas em aparelhos fotonuméricos, leitores MP3, telefones celulares ...

A Samsung, uma vez mais, sai à frente de seus principais concorrentes, que se colocam em níveis de gravação já ultrapassados por ela (65 nm para a Intel, em 2005; para a Infineon Technologies e Micron Technology, 90 nm, em produção). Trata-se de um verdadeiro salto tecnológico dado pela empresa, com a utilização de uma finíssima gravação de 60 nm!

Por ocasião da conferência de imprensa, a Samsung teve oportunidade de anunciar também os primeiros chips memória DDR2, de 2 Gb (256 Mo), gravados em 0,08 mícron (80 nm).

A empresa propõe a tecnologia RCAT (Recess Channel Array Transistor), introduzida pela Samsung em 2003, um tipo de arquitetura de transistores em 3D que permite reduzir os espaços, aumentando assim as densidades. Por outro lado, vários especialistas anunciaram que chips de 256 Mo não estariam disponíveis, senão com uma espessura de gravação de 0,065 mícron.

Contudo, tais dispositivos estarão sendo produzidos em massa, em meados de 2005, estando disponíveis na forma de barretes com capacidade de 2 Go, 4 go e 8 Go. Os módulos, evidentemente, estarão destinados às servidoras e estações de trabalho.

Não obstante a todas essas notícias auspiciosas, segundo a própria Samsung, as mesmas foram feitas num contexto de "resfriamento" do mercado de chips em 2005, dado que o número de negócios oriundos das vendas de semicondutores, naquele ano, provavelmente cairá para a metade, arriscando mesmo a desmoronar, no que diz respeito às vendas de chips de memória.

Tal retrocesso, explica a empresa, deve-se a uma obstrução, por assim dizer, a um "entupimento" do mercado. Enquanto o crescimento estimado para 2005 era de 20%, segundo Hwang Chang-gyu, presidente da empresa, acredita-se hoje que o mesmo venha a ser ligeiramente inferior a 10%.

Conferência de imprensa do Presidente Hwang Chang-gyu, em Seul, Coréia (www.samsung.com). (Tradução/Texto - MIA)

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