Nos laboratórios Intel (EUA), Haisheng Rong e colaboradores acabam de "resgatar" o silício, utilizando-o para preparar um feixe laser. Valeram-se, para tanto, do efeito Raman - fenômeno quântico observado quando os fótons de uma luz coerente monocromática batem em uma superfície mais ou menos transparente.

Há situações nas quais esses fótons podem, efetivamente, atravessar essa superfície e, por interação com os átomos que a compõem, adquirir um pouco de energia. No caso do silício, entretanto, essa amplificação é bastante fraca, até mesmo desprezível, principalmente em razão da formação de um par de elétrons que altera o sinal luminoso.

Na Universidade da Califórnia - Los Ângeles (UCLA), já em 2002 pesquisadores tinham tido a idéia de tirar partido do efeito Raman, tendo mesmo realizado um primeiro protótipo. Agora, os pesquisadores da Intel conseguiram um ganho satisfatório pelo desenvolvimento de uma junção p-i-n comportando uma camada de silício de tipo p (excesso de cargas positivas), um isolante e uma camada de tipo n (excesso de cargas negativas).

A aplicação de uma corrente a essa junção permite canalizar e liberar os elétrons formados e, portanto, chegar a uma melhor amplificação Raman (10 000 vezes superior àquela que se constata em uma fibra óptica!). Para uma corrente de 25 V, o ganho é de 4,3% e, para 5 V, de 2%.

O silício é bastante abundante. Esse avanço poderá reduzir significativamente o preço de fabricação das redes de comunicação de fibras ópticas, amplificadores ou de conversores de freqüência.

Associado a um outro estudo dos laboratórios da Intel, de 2004, sobre o desenvolvimento de um modulador óptico à base de silício, a descoberta poderá igualmente levar à construção de computadores pouco custosos, com interconexões ópticas, ao invés dos tradicionais fios metálicos.

New York Times, February 7, 2005 (Tradução - MIA).

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