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NOVIDADES
Cientistas do Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), instituto nacional de metrologia alemão, conceberam o procedimento de comutação mais rápido jamais realizado por uma célula de memória magnética. Graças a esse procedimento, as memórias magnéticas não-voláteis poderão vir a funcionar tão rapidamente quanto as memórias voláteis. As memórias atuais, tais como as DRAM e as SRAM (memórias voláteis), apresentam um inconveniente: nestas, uma vez privadas de alimentação elétrica, as informações que contêm são perdidas. Em compensação, as MRAM (memórias não-voláteis) - Magnetic Random Accesss Memory - não têm esse problema. Em uma MRAM, a informação numérica não é registrada sob forma de carga elétrica, mas na direção da magnetização (spin) de células de memórias magnéticas.  Memórias MRAM, baseadas no efeito de transferência do momentum do spin. Créditos: Siliconloft
No âmbito das experiências realizadas no PTB, foi mostrado que a magnetização da célula de memória pode ser efetuada com uma única precessão. Esta foi realizada experimentalmente graças a uma escolha precisa de parâmetros de pulso combinado a um fraco campo magnético estático. As futuras memórias MRAM utilizando o efeito spin-torque poderão ser programadas com pulsos elétricos inferiores ao nanosegundo. Isto permitirá obter uma memória não-volátil, com uma alta densidade, dispondo de uma cadência igual àquela das memórias voláteis. Press Release Physikalisch-Technische Bundesanstalt, 22 de agosto de 2008 (Tradução - MIA). Nota do Scientific Editor: a artigo que deu origem a esta notícia: "Quasi-ballistic spin torque magnetization reversal", de autoria de S. Serrano-Guisan, K. Rott, G. Reiss, J. Langer, B. Ocker and H. W. Schumacher, foi publicado na revista Physical Review Letters 33 (2008). Assuntos Conexos: |
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