Laboratório de Química do Estado Sólido
 LQES NEWS  portfólio  em pauta | pontos de vista | vivência lqes | lqes cultural | lqes responde 
 o laboratório | projetos e pesquisa | bibliotecas lqes | publicações e teses | serviços técno-científicos | alunos e alumni 

LQES
lqes news
novidades de C&T&I e do LQES

2021

2020

2019

2018

2017

2016

2015

2014

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

LQES News anteriores

em foco

hot temas

 
NOVIDADES

Fabricação de chips ganha novo material.

Dr. Tom Nilges, do Instituto de Química Inorgânica e Analítica da Universidade de Müenster desenvolveu o composto de prata (Ag10Te4Br3), que permite perspectivar novos avanços para as tecnologias de armazenamento de dados e chips para informática: "Ao invés de ter necessidade de dois materiais para fabricar os chips nos circuitos integrados, um será suficiente", comenta ele, mencionando o material recentemente desenvolvido. Além do mais, esse material tem, dada sua forte mobilidade iônica, um grande potencial termoelétrico. Ele poderia, assim, servir para produzir eletricidade a partir de fontes de energia renováveis, tais como a luz do sol, segundo afirma Nilges: "Esse material pode ainda ser otimizado e abre um novo caminho para a produção de eletricidade sem emissão de CO2".

Para seus trabalhos, Dr. Nilges teve como colaboradores colegas do Instituto de Físico-Química da Universidade de Müenster, do Instituto de Química Inorgânica de Ratisbonne, ambas na Alemanha, e do Instituto de Química da Matéria Condensada de Bordeaux (ICMCB, CNRS), França. Para outros pesquisadores, assim como para o Prof. Dr. Jürgen Janek, da Universidade de GieBen, Alemanha, o material é muito promissor para a indústria de semicondutores e poderia, por exemplo, ser usado para fabricar transistores com um único material.





Dr. Tom Nilges.

Créditos: Universidade de Müenster.


O Dr. Nilges dirige na Universidade de Müenster o programa de pesquisa denominado "Movimento de íons em materiais com estruturas desordenadas", financiado pela Agência de Financiamento para a Pesquisa da Alemanha (DFG). Em 2008, recebeu o prêmio de apoio à pesquisa da Fundação à Memória do Dr. Otto Röhm, que premia jovens pesquisadores em química.

MaterialsGate, consultado em 08 fevereiro, 2009 (Tradução - MIA).


Nota do Scientific Editor: o trabalho que deu origem a esta notícia: "Reversible switching between p- and n-type conduction in the semiconductor Ag10Te4Br3", de autoria de T. Nilges, S. Lange, M. Bawohl, J. M. Deckwart, M.n Janssen, H-D. Wiemhöfer, R. Decourt, B. Chevalier, J. Vannahme, H. Eckert e R. Weihrich, foi publicado na revista Nature Materials, volume 8, págs.101 - 108, 2009, DOI:10.1038/nmat2358.


<< voltar para novidades

 © 2001-2020 LQES - lqes@iqm.unicamp.br sobre o lqes | políticas | link o lqes | divulgação | fale conosco