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NOVIDADES
Dr. Tom Nilges, do Instituto de Química Inorgânica e Analítica da Universidade de Müenster desenvolveu o composto de prata (Ag10Te4Br3), que permite perspectivar novos avanços para as tecnologias de armazenamento de dados e chips para informática: "Ao invés de ter necessidade de dois materiais para fabricar os chips nos circuitos integrados, um será suficiente", comenta ele, mencionando o material recentemente desenvolvido. Além do mais, esse material tem, dada sua forte mobilidade iônica, um grande potencial termoelétrico. Ele poderia, assim, servir para produzir eletricidade a partir de fontes de energia renováveis, tais como a luz do sol, segundo afirma Nilges: "Esse material pode ainda ser otimizado e abre um novo caminho para a produção de eletricidade sem emissão de CO2". Para seus trabalhos, Dr. Nilges teve como colaboradores colegas do Instituto de Físico-Química da Universidade de Müenster, do Instituto de Química Inorgânica de Ratisbonne, ambas na Alemanha, e do Instituto de Química da Matéria Condensada de Bordeaux (ICMCB, CNRS), França. Para outros pesquisadores, assim como para o Prof. Dr. Jürgen Janek, da Universidade de GieBen, Alemanha, o material é muito promissor para a indústria de semicondutores e poderia, por exemplo, ser usado para fabricar transistores com um único material. Dr. Tom Nilges. Créditos: Universidade de Müenster.
MaterialsGate, consultado em 08 fevereiro, 2009 (Tradução - MIA). Nota do Scientific Editor: o trabalho que deu origem a esta notícia: "Reversible switching between p- and n-type conduction in the semiconductor Ag10Te4Br3", de autoria de T. Nilges, S. Lange, M. Bawohl, J. M. Deckwart, M.n Janssen, H-D. Wiemhöfer, R. Decourt, B. Chevalier, J. Vannahme, H. Eckert e R. Weihrich, foi publicado na revista Nature Materials, volume 8, págs.101 - 108, 2009, DOI:10.1038/nmat2358. |
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