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NOVIDADES
Equipe da IBM bate um recorde de integração de transistores de nanotubos de carbono (10.000 transistores sobre um circuito), graças a um novo procedimento. Esta pesquisa está publicada na revista Nature Nanotechnology. Um substrato à base de silício e de dióxido de háfnio HfO2 é mergulhado em uma solução de nanotubos de carbono e detergente. Ligações entre nanotubos e HfO2 se estabelecem e servem para criar transistores duas vezes menores que aqueles obtidos com a sutileza das gravações atuais mais precisas.  A precisão do procedimento desenvolvido pela IBM encontra uma ilustração nesta imagem: a barra da escala, embaixo, à esquerda, tem 2 micrômetros. Créditos: IBM.
Veja o vídeo. Industrie et Technologie (Tradução - MIA). Nota do Scientific Editor - O trabalho "High-density integration of carbon nanotubes via chemical self-assembly", que deu origem a esta notícia, é de autoria Hongsik ParkAli Afzali, Shu-Jen Han, George S. Tulevski, Aaron D. Franklin, Jerry Tersoff, James B. Hannon e Wilfried Haensch, tendo sido publicado na revista Nature Nanotechnology, on-line ( 2012), DOI:10.1038/nnano.2012.189. IBM investe pesado na pesquisa em semicondutores. Arranjos de nanotubos de carbono: uma nova geração de cristais fotônicos. |
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