Para conseguir este resultado, os pesquisadores utilizaram uma técnica de fabricação chamada Método de Langmuir-Schaefer, que consiste em dispersar nanotubos semicondutores, previamente dopados, sobre um filme líquido. Esta técnica permite não só uma excelente distribuição dos nanotubos sobre a totalidade da superfície, mas também uma orientação uniforme. As redes de nanotubos obtidas têm uma pureza de 99% e estão alinhadas com um ângulo de 17 graus, umas em relação às outras.

Tal aumento da densidade possibilita melhorias substanciais das propriedades físicas e eletrônicas dos nanotubos e permite que se tenha em vista circuitos eletrônicos flexíveis e transparentes.

Os trabalhos mostram que os nanotubos de carbono estão bem colocados para substituir o silício, que irá atingir os limites das leis da física por volta de 2013, quando a largura dos transistores chegará a apenas 5 nanômetros.

RT Flash (Tradução - MIA).

Nota do Scientific Editor - O trabalho "Arrays of single-walled carbon nanotubes with full surface coverage for high-performance electronics", que deu origem a esta notícia, é de Qing Cao, et al, tendo sido publicado on-line na revista Nature Nanotechnology (2013), DOI: 10.1038/NNANO.2012.257.

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