 |
|
|
NOVIDADES
Pesquisadores da Universidade de Purdue, Indiana (EUA), desenvolveram nanocristais que se apresentam sob a forma de folhas de menos de um nanômetro de espessura e poderiam substituir os transistores, em uma década. Esta estrutura em camadas é composta de sulfeto de molibdênio (MoS2), que pertence a uma nova classe de semicondutores que, no futuro, poderá substituir o silício. Como salienta o professor Appenzeller, "Iremos logo atingir os limites fundamentais da tecnologia à base de silício, devemos, portanto, encontrar novos materiais para continuar com a miniaturização eletrônica. Sem dúvida, não será possível substituir o silício por um único material, contudo, pretendemos encontrar estruturas compósitas para conceber os transistores do futuro".  Pesquisadores desenvolveram um novo tipo de tecnologia de semicondutores, mostrado aqui, para futuros computadores e eletrônicos baseados em nanocristais "bidimensionais". Créditos: Birck Nanotechnology Center, Purdue University.
A integração destes futuros componentes no interior de um circuito supõe poder medir uma propriedade elétrica fundamental do semicondutor: sua resistência elétrica. Os pesquisadores conseguiram realizar tal medida utilizando um metal, o escândio, que lhes permitiu determinar as verdadeiras propriedades eletrônicas do dispositivo em camadas. Os transistores assim concebidos contêm as indispensáveis "portas", que lhes permitem comutar e controlar a passagem de corrente elétrica. No momento, os protótipos de chips desenvolvidos têm o tamanho de cerca de 14 nanômetros (14 bilionésimos de metro). RT Flash (Tradução - MIA). Nota do Scientific Editor - O trabalho "Screening and interlayer coupling in multilayer MoS2", que deu origem a esta notícia, é de autoria de Saptarshi Das e Joerg Appenzeller, tendo sido publicado on-line na revista Physica Status Solidi (RRL) Rapid Research Letters, vol.7, Issue 4, pags. 268-273, 2013, DOI: 10.1002/pssr.201307015. |
|||||||||||||||||||||||
