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NOVIDADES
O transistor foi inventado em 23 de dezembro de 1947 por John Bardeen, Willian Shockley e Walter Brattain. Tratava-se de se obter um componente eletrônico menor e mais prático que as válvulas que demandavam uma dezena de segundos de aquecimento, gerando um consumo importante e necessitando uma fonte de alta tensão (várias centenas de volts). A invenção foi um sucesso, e os três pesquisadores dos Bell Labs (EUA) receberam o Prêmio Nobel de Física, em 1956, por esta descoberta. Os primeiros transistores (do inglês transfer resistor, resistência de transferência) eram baseados no germânio. Rapidamente, foi o silício que substituiu este semicondutor. Atualmente, se aposta muito no grafeno para a obtenção de uma nova geração de componentes eletrônicos, menores e ainda mais rápidos. A União Européia entendeu que era um bom momento e partiu para um milionário financiamento de projetos de pesquisa sobre o grafeno. Infelizmente, ainda se está longe de uma utilização comercial de dispositivos eletrônicos contendo este material, uma vez que há numerosos obstáculos. Folhinhas de germanano observadas ao microscópio. (A cor da imagem é artificial.) Créditos: Elisabeth Bianco et al., ACS Nano.
Joshua Goldberger, professor-adjunto de química da Universidade de Ohio (EUA), comentou seu trabalho e o de seus colegas nestes termos: "A maioria das pessoas pensa que o grafeno é o material eletrônico do futuro. Mas o silício e o germânio são sempre os materiais do presente. Eles se beneficiaram de 60 anos de pesquisas consagradas à elaboração de técnicas para fabricar chips com eles. Portanto, pesquisamos novos materiais à base de silício e de germânio, com propriedades vantajosas, mas que se pode obter a custo menor que o grafeno e utilizando a tecnologia existente". Para conseguir isso, os pesquisadores criaram primeiro um sanduíche de camadas monoatômicas de germânio com átomos de cálcio entre as camadas. Com germânio puro, as tentativas de clivagem para obter o equivalente de folhinhas de grafeno a partir de grafite teriam terminado em fracasso, porque as folhinhas isoladas se tornariam muito instáveis. O sanduíche foi em seguida mergulhado em água para eliminar os átomos de cálcio e permitir que fossem substituídos por átomos de hidrogênio. O germanano obtido é, quimicamente, ainda mais estável que o silício tradicional. Ele não se oxida no ar e na água. Isto torna o germanano fácil de trabalhar com técnicas clássicas de fabricação de chips. A estrutura em colméia (em ninho de abelha) de uma folhinha de grafano. As folhinhas de germanano são similares: só que os átomos de carbono (em preto) são substituídos por átomos de germânio. Créditos: Edgar181, Wikipédia, DP. Futura Science (Tradução - MIA). Nota do Scientific Editor - O trabalho "Stability and Exfoliation of Germanane: A Germanium Graphane Analogue", que deu origem a esta notícia, é de autoria de Elisabeth Bianco, Sheneve Butler, Shishi Jiang, Oscar D. Restrepo, Wolfgang Windl e Joshua E. Goldberger, tendo sido publicado na revista ACS Nano, 2013, DOI: 10.1021/nn4009406. Assuntos Conexos: |
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