NOVIDADES
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Concorrência para o grafeno.
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O grafeno não é mais o único material que se pretende para tomar o lugar do silício usado na indústria eletrônica. Pesquisadores da Universidade da Pensylvania (EUA) descobriram um novo candidato: dissulfeto de molibdênio.
O dissulfeto de molibdênio (MoS2) pode também ser formado na forma de camadas com a espessura de um átomo, como no caso do grafeno. Além disso, poderá prestar-se à fabricação de circuitos eletrônicos. Estas notícias já eram conhecidas há algum tempo, porém foram mantidas em sigilo porque este novo material era muito difícil de ser tratado.
Estrutura do Dissulfeto de Molibdênio (MoS2) mostrando duas camadas empilhadas.
Créditos: Utadeo
Nova técnica
Pesquisadores da Universidade da Pensilvânia, encontraram uma nova maneira de criar camadas finas de MoS2. Esta substância está presente, de uma forma impura em lubrificantes industriais. Se se quer fazer camadas finas, é necessário, primeiro, remover as impurezas. Os pesquisadores conseguiram isto usando um processo no qual pequenos flocos impuros são filtrados de uma solução. Isto permite obter pequenos fragmentos de MoS2 puro utilizados como núcleos de condensação.
Promissor
MoS2 é um material caracterizado por aquilo que é conhecido no jargão científico como um material com band-gap, o que significa que dois estados de energia diferentes podem se manifestar ao contrário do grafeno, que adota esse comportamento depois da adição de impurezas. A investigação centra-se agora em métodos para usar o MoS2 para construir circuitos lógicos.
Automatisering Gids (Tradução - OLA).
Assuntos Conexos:
Nanocristais de molibdênio para substituir os transistores.
Tese defendida no LQES avança os conhecimentos sobre nanoestruturas de sulfetos de molibdênio e tungstênio.
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