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NOVIDADES

Chips gravados em 45 nm : IBM e Intel apostam suas fichas na nova tecnologia !

Acredite quem quiser! Embora separadamente, mas ao mesmo tempo, as empresas americanas IBM e Intel fizeram mais um anúncio re-tum-ban-te: estão prontas suas tecnologias de gravação de circuitos em 45 nanômetros. E, claro, não ficaram só nisso. Informaram também que os circuitos, particularmente os principais processadores da Intel, serão equipados no segundo semestre de 2007 com sistemas oriundos desta tecnologia.

Ainda nesse ano, conforme previsto, a gravação dos circuitos eletrônicos com - pasmem! -, uma espessura de 45 nanômetros tornar-se-á realidade. (É sempre bom lembrar que o nm corresponde à bilionésima parte do metro).

Sorte, dirão alguns, falta de, dirão outros, a verdade é que IBM e Intel divulgaram a informação quase ao mesmo tempo: a nova geração estará pronta, em escala industrial, nos próximos meses, e, no que diz respeito aos produtos comerciais, o mercado os terá disponíveis já no segundo semestre.

O mercado parece já estar acostumado com os anúncios que revelam que cada vez mais os chips vêm tendo espessura reduzida, mas não pode negligenciar que essa baixa de um "furo" está baseada em evoluções técnicas reais. Assim, não é mais possível, por exemplo, fazer uso dos mesmos materiais para os circuitos atuais, gravados em 65 nm e para essa nova família de 45 nm.

A IBM, quando do anúncio, limitou-se ao essencial, sem nenhuma "prolixidade". Não se pode dizer o mesmo da Intel, que revelou ter usado o silicato de háfnio para a fabricação dos transistores - elementos de base de um processador -, que se contam aos milhões. Somente para se ter uma idéia: um processador Core 2 Duo, fabricado com tecnologia 65 nm, contém cerca de 291 milhões de transistores!

A razão da escolha justifica-se pela grande permitividade do silicato de háfnio: cinco vezes maior que o dióxido de silício utilizado atualmente. A permitividade (medida em farads/m) é a capacidade de deixar passar um campo elétrico. A capacidade (em farads) de um condensador é determinada principalmente pela permitividade.

No interior de um transistor, um dielétrico é interessante para reter as cargas elétricas, como em um condensador. Com dielétrico de alta permitividade (high-K, em inglês), obtém-se a mesma capacidade com uma espessura menor. Eis como miniaturizar mais.





Diagrama de um transistor de porta metálica + 45 High-k da Intel e suas vantagens associadas na performance e redução de vazamento.

Créditos: Intel


Um pouco menos de silício...

E a Intel mostra o jogo: explica ter utilizado uma nova composição para os eletrodos da porta (gate, em inglês), em metal e não mais em silício. Particularmente entusiasmado está Gordon Moore, co-fundador da Intel, podendo ser depreendida uma certa parcialidade de sua parte.

Diz Gordon que as duas inovações representam - após a introdução do polisilício nos circuitos MOS, nos anos 1960 -, o maior melhoramento na tecnologia do transistor.

Não se pode negar que foi realmente um grande gol marcado pelas duas empresas. A gravação em 45 nm será apresentada na próxima geração de Core 2 Duo, Core 2 Quad e Xeon.

Mas, as coisas não param - e nem poderiam -, parar por aí. Tanto é assim que a gravação em 32 nm já está em preparação, principalmente na Intel e AMD, que começaram a investir nas fábricas. Em termos de novidades, 2009 e 2010 prometem!

Intel (http://www.intel.com), consultado em 10 de fevereiro de 2007 (Tradução/Texto - MIA).


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