Laboratório de Química do Estado Sólido
 LQES NEWS  portfólio  em pauta | pontos de vista | vivência lqes | lqes cultural | lqes responde 
 o laboratório | projetos e pesquisa | bibliotecas lqes | publicações e teses | serviços técno-científicos | alunos e alumni 

LQES
lqes news
novidades de C&T&I e do LQES

2021

2020

2019

2018

2017

2016

2015

2014

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

LQES News anteriores

em foco

hot temas

 
NOVIDADES

Nanocristais de molibdênio para substituir os transistores.

Pesquisadores da Universidade de Purdue, Indiana (EUA), desenvolveram nanocristais que se apresentam sob a forma de folhas de menos de um nanômetro de espessura e poderiam substituir os transistores, em uma década.

Esta estrutura em camadas é composta de sulfeto de molibdênio (MoS2), que pertence a uma nova classe de semicondutores que, no futuro, poderá substituir o silício.

Como salienta o professor Appenzeller, "Iremos logo atingir os limites fundamentais da tecnologia à base de silício, devemos, portanto, encontrar novos materiais para continuar com a miniaturização eletrônica. Sem dúvida, não será possível substituir o silício por um único material, contudo, pretendemos encontrar estruturas compósitas para conceber os transistores do futuro".



Pesquisadores desenvolveram um novo tipo de tecnologia de semicondutores, mostrado aqui, para futuros computadores e eletrônicos baseados em nanocristais "bidimensionais".

Créditos: Birck Nanotechnology Center, Purdue University.


Os nanocristais desenvolvidos por estes pesquisadores são chamados "bidimensionais", porque se apresentam sob a forma de filmes de apenas 0,7 nm de espessura, ou seja: a largura de somente quatro átomos de carbono.

A integração destes futuros componentes no interior de um circuito supõe poder medir uma propriedade elétrica fundamental do semicondutor: sua resistência elétrica. Os pesquisadores conseguiram realizar tal medida utilizando um metal, o escândio, que lhes permitiu determinar as verdadeiras propriedades eletrônicas do dispositivo em camadas.

Os transistores assim concebidos contêm as indispensáveis "portas", que lhes permitem comutar e controlar a passagem de corrente elétrica. No momento, os protótipos de chips desenvolvidos têm o tamanho de cerca de 14 nanômetros (14 bilionésimos de metro).

RT Flash (Tradução - MIA).

Nota do Scientific Editor - O trabalho "Screening and interlayer coupling in multilayer MoS2", que deu origem a esta notícia, é de autoria de Saptarshi Das e Joerg Appenzeller, tendo sido publicado on-line na revista Physica Status Solidi (RRL) Rapid Research Letters, vol.7, Issue 4, pags. 268-273, 2013, DOI: 10.1002/pssr.201307015.


Assuntos Conexos:

A eletrônica na escala atômica.


<< voltar para novidades

 © 2001-2020 LQES - lqes@iqm.unicamp.br sobre o lqes | políticas | link o lqes | divulgação | fale conosco