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NOVIDADES

Macroinvestimentos para nano dispositivos.

Na corrida para a miniaturização que conhece a microeletrônica desde os anos 40, a Intel em breve estará prestes a dar um novo passo, e não dos menores! A gigante de Santa Clara vai, de fato, empregar entre 1 e 1,5 bilhões de dólares em sua fábrica de Rio Rancho, no Novo México (EUA), a fim de passar à produção de microprocessadores, tendo uma espessura de gravação de 45 nm.

A passagem do 65 nm (atual processador Core Duo) ao 45 nm pode ser feita graças à várias evoluções tecnológicas consideráveis. A Intel será de fato o primeiro fabricante a utilizar um material high-k como dielétrico de grade, bem como uma nova mistura metal-háfnio como grade, no lugar dos clássicos SiO2 e polisilício. Sem essas inovações, as correntes de fuga dos transistores seriam bem mais elevadas.

A nova família de processadores se beneficiando dessa espessura de gravação de 45 nm leva o nome de código Penryn. Tecnicamente, ela conservará a arquitetura do Core Duo, mas os chips terão dimensões reduzidas, graças à menor espessura de gravação. O número de transistores atingirá 410 milhões, na versão duplo-core, e 820 milhões, em uma variante quadri-core. Relativamente ao Core Duo, o Penryn deverá ter um ganho de performance de aproximadamente 20%.





Penryn, da Intel. Chip de 45 nm, com 410 milhões de transistores.

Créditos: Intel


A fábrica atual de Rio Rancho (Fab 11X) utiliza atualmente uma tecnologia 90 nm, sobre substratos de 300 nm. O bilhão de dólares será utilizado para remodelar e equipar a fábrica, para poder passar ao 45 nm, e isso a partir de meados de 2008. Não será apenas essa fábrica da Intel a dar esse passo: a de Oregon será a primeira, depois será a vez daquelas implantadas em Israel e Arizona, para as quais a Intel dispensará respectivamente 3 e 3,5 bilhões de dólares suplementares.

Intel (www.intel.com), consultado em 25 de março de 2007 (Tradução - MIA).


Veja mais:
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